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产品分类

晶体管
FJAF6810DTU参考图片

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FJAF6810DTU

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 NPN Si Transistor Tripple Diff Planar
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PF-3
直流集电极/Base Gain hfe Min
5
集电极—发射极最大电压 VCEO
750 V
集电极连续电流
10 A
峰值直流集电极电流
10000 mA
Pd-功率耗散
60 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
直流电流增益 hFE 最大值
8
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
高度
16.7 mm
长度
15.7 mm
类型
Silicon Transistor
宽度
5.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
30
子类别
Transistors
零件号别名
FJAF6810DTU_NL
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格,FJAF6810DTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 2.2KOhms 250MHz
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66105
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
参考库存:7246
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast 5-40kHz
1:¥47.0984
10:¥42.5671
25:¥40.567
100:¥35.1882
参考库存:5674
晶体管
MOSFET N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.0684
1,000:¥9.9892
3,000:¥9.2999
参考库存:7891
晶体管
MOSFET N-Ch 80 V 2.1 mOhm 180 A STripFET VI DG
1:¥52.093
10:¥47.0984
25:¥44.9514
100:¥39.0302
参考库存:4911
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥8.2942
10:¥7.1077
100:¥5.4579
500:¥4.8251
5,000:¥3.3787
10,000:查看
参考库存:11449
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