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晶体管
CMLDM8120 TR参考图片

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CMLDM8120 TR

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 20V P-Ch FET 8.0Vgs 860mA 360mA 350mW
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库存:42,654(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥4.1132
41.132
100
¥2.8589
285.89
1,000
¥2.1244
2124.4
3,000
¥1.7967
5390.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
860 mA
Rds On-漏源导通电阻
85 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
3.56 nC
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
350 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
CMLDM8120
商标
Central Semiconductor
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
20 ns
商品其它信息
优势价格,CMLDM8120 TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-723 4.7kO Input Resist
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
2,500:¥0.23052
8,000:¥0.20001
参考库存:9707
晶体管
MOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
1:¥7.6049
10:¥6.8139
100:¥5.424
500:¥4.2375
3,000:¥3.1866
6,000:查看
参考库存:4283
晶体管
MOSFET 100v N ch MOSFET
1:¥9.831
10:¥8.3733
100:¥6.4523
250:¥6.4523
500:¥5.6952
参考库存:17401
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥26.5889
10:¥22.5887
100:¥19.5942
250:¥18.5207
参考库存:2007
晶体管
MOSFET FET 100V 9.9 MOHM PQFN56
1:¥21.6734
10:¥18.3625
100:¥15.9104
250:¥15.142
3,000:¥10.8367
6,000:查看
参考库存:3285
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