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晶体管
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2N2920

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Low Noise
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数量单价合计
40
¥164.6636
6586.544
80
¥160.7538
12860.304
120
¥152.9907
18358.884
280
¥140.3912
39309.536
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-78-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
350 mV
最大直流电集电极电流
30 mA
增益带宽产品fT
60 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
系列
2N2920
直流电流增益 hFE 最大值
35
高度
4.7 mm
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
40 at 10 uA, 5 V
Pd-功率耗散
1500 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
2N2920 PBFREE
商品其它信息
优势价格,2N2920的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥3.3787
10:¥2.8363
100:¥1.7289
1,000:¥1.3334
2,500:¥1.1413
参考库存:4953
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥5.989
10:¥4.8025
100:¥3.6386
500:¥3.0171
1,000:¥2.4182
2,500:¥2.1809
参考库存:3969
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 12 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
1:¥104.8075
10:¥96.3551
25:¥92.3662
100:¥81.3713
参考库存:3123
晶体管
MOSFET Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3pin(2+Tab)
1:¥17.1308
10:¥14.5205
100:¥11.6842
500:¥10.2152
800:¥8.4524
参考库存:7461
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.1526
10:¥1.11418
100:¥0.39211
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:29971
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