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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Taiwan Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PDFN56-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	40 V
Id-连续漏极电流	54 A
Rds On-漏源导通电阻	11 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	2 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	23 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	68 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Reel
系列	TSM
晶体管类型	Single N-Channel Power MOSFET
商标	Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值	37 S
下降时间	12 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	20 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	10 ns
典型接通延迟时间	3.2 ns

商品其它信息

优势价格，TSM110NB04CR RLG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SSM6N17FU(TE85L,F)	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 2-in-1 MOSFET ID=100mA VDSS=50V	1:¥4.9155 10:¥3.5143 100:¥1.1752 1,000:¥0.90626 3,000:¥0.76049	参考库存:23222
BCW71,215	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7	1:¥2.0001 10:¥1.356 100:¥0.56839 1,000:¥0.3842 3,000:¥0.30736	参考库存:11612
PSMN2R6-60PSQ	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Channel MOSFET	1:¥19.9784 10:¥16.9839 100:¥13.6052 500:¥11.9102	参考库存:7614
MRF157	Advanced Semiconductor, Inc.	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor	1:¥3,957.26 10:¥3,780.528	参考库存:23229
NPTB00025B	MACOM	晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4.0GHz 25W Gain 13.5dB GaN HEMT	1:¥1,323.2639 2:¥1,286.6067 5:¥1,257.1815 10:¥1,220.4452	参考库存:23232