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晶体管

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FF650R17IE4DP_B2

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数量单价合计
1
¥4,679.6351
4679.6351
5
¥4,397.6323
21988.1615
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
3
子类别
IGBTs
零件号别名
FF650R17IE4DPB2BOSA1 SP001089910
商品其它信息
优势价格,FF650R17IE4DP_B2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 10A
1:¥263.403
5:¥260.6458
10:¥242.9726
25:¥232.0568
参考库存:2874
晶体管
MOSFET 600V NChannel MOSFET SupreMOS
1:¥47.2566
10:¥42.7253
25:¥40.7252
100:¥35.3464
参考库存:3861
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR PNP
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,500:¥1.3334
参考库存:6197
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
1:¥127.3284
10:¥115.7233
25:¥107.0336
50:¥101.2028
参考库存:2859
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO
1:¥3.2318
10:¥1.7741
100:¥0.76049
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:4847
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