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晶体管
PD57018S-E参考图片

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PD57018S-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET 8 BITS MICROCONTR
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库存:41,119(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥249.0407
249.0407
5
¥246.4304
1232.152
10
¥229.6725
2296.725
25
¥219.3782
5484.455
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-2
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
760 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 165 C
Pd-功率耗散
31.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
PD57018-E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
1 S
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格,PD57018S-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V P Channel Mosfet
15,000:¥0.59212
24,000:¥0.5537
45,000:¥0.52206
参考库存:28138
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥1,252.0287
5:¥1,221.1458
10:¥1,191.7884
25:¥1,148.4529
参考库存:28141
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80Vcbo 80Vceo 5.0V 4A 40W
1,300:¥4.5539
2,600:¥4.0454
10,400:¥3.8872
参考库存:28144
晶体管
MOSFET Auto 40V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET
3,000:¥20.0575
参考库存:28147
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥747.1899
参考库存:28150
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