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DMN3012LFG-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, NPN
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
10.5 mOhms, 5.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 750 mV
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
4.7 nC, 9.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
2.3 ns, 2.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.7 ns, 3.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.4 ns, 12.4 ns
典型接通延迟时间
5.1 ns, 4.4 ns
商品其它信息
优势价格，DMN3012LFG-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI8487DB-T1-E1
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
1:¥5.3788
10:¥4.1358
100:¥3.0736
500:¥2.5199
1,000:¥1.9549
3,000:¥1.9549
参考库存:5567
IRF9321TRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT P-Ch -30V -15A 7.2mOhm
1:¥5.763
10:¥4.8364
100:¥3.1301
1,000:¥2.4973
4,000:¥2.4973
参考库存:9210
NSBA124EDXV6T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual PNP
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.71416
参考库存:10648
RN2706JE(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans PNP x 2 ESV, -50V, -100A
1:¥4.2262
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
4,000:¥0.58421
参考库存:6649
EMD2T2R
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP/NPN 50V 30MA
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
8,000:¥0.68365
24,000:查看
参考库存:9356
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