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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
配置	Dual
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	4.7 kOhms, 47 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-363-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
最大工作频率	250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	270 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 100 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
输出电压	0.1 V
商标	Diodes Incorporated
通道模式	Enhancement
最大直流电集电极电流	100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	6 mg

商品其它信息

优势价格，ADC143ZUQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
STW70N60M2-4	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 600 V, 0.031 Ohm typ., 68 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package	1:¥89.5977 10:¥80.9871 25:¥77.2242 100:¥67.0768	参考库存:30190
DCX51-16-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W -45Vceo	2,500:¥1.00683	参考库存:30193
IPB80R290C3AATMA2	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET	1,000:¥21.5152 2,000:¥20.4417	参考库存:30196
STGP8M120DF3	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package	1:¥34.1147 10:¥29.041 100:¥25.1312 250:¥23.8204	参考库存:4872
NVMFS5C442NLWFAFT3G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET T6 40V S08FL	5,000:¥3.2318 10,000:¥3.1075 25,000:¥3.0171	参考库存:30201