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晶体管
IPP65R110CFD参考图片

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IPP65R110CFD

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO220-3 CoolMOS CFD2
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库存:7,037(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥43.6406
43.6406
10
¥37.1092
371.092
100
¥32.1146
3211.46
250
¥30.51
7627.5
500
¥27.3573
13678.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
31.2 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
118 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
277.8 W
配置
Single
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS CFD2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6 nS
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 nS
零件号别名
IPP65R110CFDXKSA1 IPP65R11CFDXK SP000895226
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP65R110CFD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥5.537
10:¥4.4748
100:¥3.4013
500:¥2.8024
1,000:¥2.2487
3,000:¥2.034
参考库存:7121
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥97.2817
10:¥88.4451
25:¥81.8346
50:¥77.3824
参考库存:1148
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥104.1182
5:¥100.0502
10:¥96.276
25:¥88.4451
参考库存:1135
晶体管
MOSFET 40V, 170A, Single N- Channel Power MOSFET
1:¥12.8368
10:¥11.3678
100:¥8.9157
500:¥6.9608
2,500:¥4.9833
5,000:查看
参考库存:2577
晶体管
MOSFET 40V CSD18503Q5A 8-VSONP
1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.3224
250:¥7.3224
500:¥6.4749
参考库存:1673
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