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晶体管

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DMN1003UCA6-7

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数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥5.9212
59.212
100
¥3.8307
383.07
1,000
¥3.0623
3062.3
3,000
¥3.0623
9186.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X3-DSN3518-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
23.6 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms, 2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
56.5 nC, 56.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.67 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
6208 ns, 6208 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1694 ns, 1694 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
47479 ns, 4747 ns
典型接通延迟时间
603 ns, 603 ns
商品其它信息
优势价格,DMN1003UCA6-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Big Chip SELine
1:¥7.7631
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
1,000:¥3.5708
参考库存:10341
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥7.5258
10:¥6.4862
100:¥4.9833
500:¥4.407
2,500:¥3.0849
10,000:查看
参考库存:5700
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥11.9893
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.7348
3,000:¥5.198
6,000:查看
参考库存:9308
晶体管
MOSFET 60V 4.1A 3.3W 100mohm @ 10V
1:¥6.9947
10:¥5.6387
100:¥4.2827
500:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.5651
参考库存:7825
晶体管
MOSFET N-Chnl 200V
1:¥3.2996
10:¥2.7685
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:40987
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