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晶体管
DMT43M8LFV-7参考图片

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DMT43M8LFV-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 40V N-Ch Enhance Mode
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库存:18,947(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.7743
57.743
100
¥3.7177
371.77
1,000
¥2.9832
2983.2
2,000
¥2.9832
5966.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
87 A
Rds On-漏源导通电阻
4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
44.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
9.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.6 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24.9 ns
典型接通延迟时间
5.5 ns
单位重量
30 mg
商品其它信息
优势价格,DMT43M8LFV-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BCP68/SC-73/REEL 13" Q1/T1 *ST
1:¥2.9154
10:¥2.2713
100:¥1.2317
1,000:¥0.92999
4,000:¥0.79891
参考库存:8621
晶体管
MOSFET Nch 600V 15A Si MOSFET
1:¥18.2834
10:¥15.5262
100:¥12.4526
500:¥10.8367
1,000:¥8.9948
参考库存:5691
晶体管
MOSFET 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V
1:¥12.2944
10:¥10.1474
100:¥7.7631
500:¥6.7235
1,000:¥5.2997
3,000:¥5.2997
参考库存:7775
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC
1:¥37.5725
10:¥31.9677
100:¥27.6624
250:¥26.2838
4,000:¥18.1365
参考库存:8755
晶体管
MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4693
500:¥6.5992
参考库存:18402
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