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晶体管
DMT10H010SPS-13参考图片

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DMT10H010SPS-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
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库存:6,611(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.6106
8.6106
10
¥7.3111
73.111
100
¥5.6274
562.74
500
¥4.972
2486
1,000
¥3.9211
3921.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
113 A
Rds On-漏源导通电阻
8.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
56.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
139 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
29.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
44.8 ns
典型接通延迟时间
18.6 ns
单位重量
97 mg
商品其它信息
优势价格,DMT10H010SPS-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2
1,000:¥10.5316
2,000:¥9.831
5,000:¥9.4468
10,000:¥9.0626
参考库存:34961
晶体管
MOSFET N-ch 650 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M5
1:¥35.6515
10:¥30.2727
100:¥26.2838
250:¥24.8939
参考库存:2793
晶体管
MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIE
1:¥3.616
10:¥2.7459
100:¥1.4916
1,000:¥1.11418
3,000:¥0.9605
参考库存:8793
晶体管
MOSFET 60V Dual P-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs
1:¥5.989
10:¥5.0059
100:¥3.2318
1,000:¥2.5764
2,500:¥2.5764
参考库存:15195
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.2487
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
15,000:¥0.5763
45,000:查看
参考库存:47797
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