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晶体管
RN1314,LF参考图片

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RN1314,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 BRT 0.1A 50V 1KOhm / 10KOhm
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数量单价合计
1
¥1.5368
1.5368
10
¥1.2543
12.543
100
¥0.52997
52.997
1,000
¥0.29945
299.45
3,000
¥0.22261
667.83
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
典型输入电阻器
1 kOhms
典型电阻器比率
0.1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-3
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
最大工作频率
250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
100 mA
Pd-功率耗散
100 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
RN1314
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
商标
Toshiba
通道模式
Enhancement
最大直流电集电极电流
100 mA
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,RN1314,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR
1:¥2.0792
10:¥1.4238
100:¥0.59212
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.31527
参考库存:41279
晶体管
MOSFET Mosfet
1:¥15.6731
10:¥14.2945
100:¥12.2944
500:¥10.9836
参考库存:41282
晶体管
JFET JFET N-Channel -25V 60mA 10Vds -15Vgs
309:¥23.052
500:¥20.6677
1,000:¥17.4472
2,500:¥16.5997
参考库存:41285
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥2.7685
10:¥1.921
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.43053
参考库存:41288
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:41291
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