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晶体管
DMT3022UEV-13参考图片

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DMT3022UEV-13

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库存:18,006(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.8081
38.081
100
¥2.4634
246.34
1,000
¥1.9662
1966.2
3,000
¥1.9662
5898.6
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
13.9 nC
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格,DMT3022UEV-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
1:¥23.4362
10:¥19.8993
100:¥17.289
250:¥16.3624
参考库存:3478
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥245.3456
5:¥233.0512
10:¥226.904
25:¥208.5415
参考库存:2999
晶体管
MOSFET 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.6049
500:¥6.7235
1,000:¥5.2997
2,500:¥5.2997
参考库存:30431
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:33586
晶体管
MOSFET 30V N-Chnl MOSFET
1:¥6.6896
10:¥5.537
100:¥3.5821
1,000:¥2.8702
2,500:¥2.599
参考库存:5259
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