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晶体管
DMT2004UFV-13参考图片

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DMT2004UFV-13

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库存:6,657(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.729
37.29
100
¥2.2713
227.13
1,000
¥1.7515
1751.5
3,000
¥1.5029
4508.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
24 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
0.55 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
29.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
38.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30.8 ns
典型接通延迟时间
3.9 ns
单位重量
72 mg
商品其它信息
优势价格,DMT2004UFV-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥92.8973
250:¥84.6822
500:¥79.2243
1,000:¥72.6929
参考库存:37517
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥173.8844
250:¥159.6012
500:¥151.9172
参考库存:37520
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥105.3499
250:¥96.05
500:¥89.8237
1,000:¥82.377
参考库存:37526
晶体管
MOSFET D-PAK MOSFET
2,500:¥2.599
5,000:¥2.3617
10,000:¥2.1583
25,000:¥2.1244
参考库存:37529
晶体管
MOSFET N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-247 package
1:¥24.4306
10:¥20.7468
100:¥18.0574
250:¥17.1308
500:¥15.368
参考库存:3167
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