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晶体管
TK5Q65W,S1Q参考图片

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TK5Q65W,S1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET N-Channel
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库存:17,692(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9157
8.9157
10
¥7.0964
70.964
100
¥5.4579
545.79
500
¥4.8251
2412.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
5.2 A
Rds On-漏源导通电阻
1.02 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
10.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
封装
Tube
高度
6.1 mm
长度
6.65 mm
系列
TK5Q65W
宽度
2.3 mm
商标
Toshiba
下降时间
5.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
39 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,TK5Q65W,S1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50Vcbo 45Vceo 6.0Vebo 200mA
1:¥13.5261
10:¥12.0684
100:¥9.605
500:¥8.4524
参考库存:4635
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.8941
25:¥25.9674
50:¥23.052
参考库存:4495
晶体管
MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥8.4524
10:¥7.5258
100:¥5.9438
500:¥4.6104
1,000:¥3.6386
2,000:¥3.2996
参考库存:15198
晶体管
MOSFET MOSFT P-Ch -30V -3A 98mOhm 9.5nC Log Lvl
1:¥3.3787
10:¥2.599
100:¥1.4125
1,000:¥1.05994
3,000:¥0.91417
9,000:¥0.85315
参考库存:22562
晶体管
JFET TAPE7 FET-RFSS
1:¥4.0002
10:¥3.5482
25:¥3.2092
100:¥2.8024
3,000:¥1.5255
6,000:查看
参考库存:12857
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