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晶体管
RN1118(T5L,F,T)参考图片

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RN1118(T5L,F,T)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
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数量单价合计
1
¥1.921
1.921
10
¥1.2091
12.091
100
¥0.50737
50.737
1,000
¥0.34578
345.78
3,000
¥0.26103
783.09
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
典型输入电阻器
47 kOhms
典型电阻器比率
4.7
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-416-3
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
100 mA
Pd-功率耗散
100 mW
系列
RN1118
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
发射极 - 基极电压 VEBO
25 V
商标
Toshiba
最大直流电集电极电流
100 mA
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格,RN1118(T5L,F,T)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50GN/FM4///REEL 13
1:¥1,334.9368
5:¥1,306.7433
10:¥1,278.5385
25:¥1,246.2657
50:¥1,213.9138
参考库存:4636
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥51.5619
10:¥42.7253
100:¥35.1882
250:¥34.1147
500:¥30.5778
参考库存:4939
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥25.2781
10:¥21.5152
100:¥18.5998
250:¥17.6732
500:¥15.8313
参考库存:5038
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V DUAL PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR
1:¥4.5313
10:¥3.8194
100:¥2.3278
1,000:¥1.7967
3,000:¥1.5368
参考库存:6657
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX600H/CFM4F///REEL 13
1:¥1,042.1086
5:¥1,021.6669
10:¥974.0261
25:¥953.5844
50:¥953.5844
参考库存:4642
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