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产品分类

晶体管
ZTX614STZ参考图片

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ZTX614STZ

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 NPN Darlington
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数量单价合计
2,000
¥1.8419
3683.8
4,000
¥1.5594
6237.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
10 V
集电极—基极电压 VCBO
120 V
最大直流电集电极电流
0.8 A
最大集电极截止电流
0.1 uA
Pd-功率耗散
1 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX614
封装
Bulk
直流电流增益 hFE 最大值
5000
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
0.8 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
5000 at 100 mA at 5 V, 10000 at 500mA at 5 V
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,ZTX614STZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Dual N-Ch 60V 35mOhm 6.5A STripFET III
1:¥10.1474
10:¥8.6784
100:¥6.6896
500:¥5.9212
3,000:¥4.1471
9,000:查看
参考库存:7171
晶体管
MOSFET
1:¥32.5779
10:¥27.6624
100:¥23.9786
250:¥22.7469
1,000:¥17.2099
2,000:查看
参考库存:8213
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:5767
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 3.2A IPAK-3 CoolMOS C3
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6331
500:¥5.8647
1,000:¥4.6217
参考库存:5179
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 20V 10A
1:¥9.7632
10:¥8.3733
100:¥6.3958
500:¥5.65
2,500:¥3.955
10,000:查看
参考库存:4410
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