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晶体管
DMG1012T-13参考图片

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DMG1012T-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 20V N-Ch Enhance Mode MOSFET
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数量单价合计
1
¥2.2261
2.2261
10
¥1.5255
15.255
100
¥0.63732
63.732
1,000
¥0.43844
438.44
10,000
¥0.29154
2915.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-523-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
630 mA
Rds On-漏源导通电阻
400 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
6 V
Qg-栅极电荷
736.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.28 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
14 S
下降时间
12.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.4 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26.7 ns
典型接通延迟时间
5.1 ns
单位重量
2 mg
商品其它信息
优势价格,DMG1012T-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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4,000:查看
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3,000:¥1.356
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10:¥4.1471
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1,000:¥1.9549
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1,000:¥5.5257
3,000:¥5.5257
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