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晶体管
SIHH21N60E-T1-GE3参考图片

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SIHH21N60E-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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库存:16,883(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥33.5045
33.5045
10
¥27.8206
278.206
100
¥22.8938
2289.38
250
¥22.1254
5531.35
3,000
¥15.9104
47731.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-8x8-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
153 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
55 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
8 mm
系列
E
宽度
8 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
45 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
20 ns
商品其它信息
优势价格,SIHH21N60E-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH/400V/6A/CFET
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.3789
800:¥6.1133
参考库存:2466
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 56A 16mOhm 70nC
1:¥8.7575
10:¥7.5145
100:¥5.7743
500:¥5.1076
1,000:¥4.0228
3,000:¥4.0228
参考库存:4544
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 1.5A 30V
1:¥3.2318
10:¥2.4521
100:¥1.3334
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
参考库存:7034
晶体管
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥8.5315
10:¥7.458
100:¥6.215
500:¥4.8703
3,000:¥3.5143
6,000:查看
参考库存:7814
晶体管
MOSFET 40V N-Channel PowerTrench
1:¥7.684
10:¥6.5992
100:¥5.0737
500:¥4.4748
2,500:¥3.1301
10,000:查看
参考库存:4171
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