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DMP2021UFDF-13参考图片

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DMP2021UFDF-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -20V Enh FET 8Vgss 0.73W 2760pF
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10,000
¥2.2939
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-F-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
350 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
59 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.02 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
0.6 mm
长度
2 mm
产品
Enhancement Mode MOSFET
系列
DMP2021
类型
Enhancement Mode MOSFET
宽度
2 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
96 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
125 ns
典型接通延迟时间
7.5 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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