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晶体管
DMP3026SFDE-7参考图片

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DMP3026SFDE-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.8702
28.702
100
¥1.7402
174.02
1,000
¥1.356
1356
3,000
¥1.1526
3457.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
8.7 A
Rds On-漏源导通电阻
15 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
19.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
23 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
5.3 ns
单位重量
6.750 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp
1:¥10.7576
10:¥8.9157
100:¥6.7913
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
参考库存:2289
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG TRANS GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥4.068
10:¥2.7007
100:¥1.6724
500:¥1.5029
3,000:¥0.94468
9,000:查看
参考库存:4652
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Array
1:¥6.2263
10:¥5.1528
100:¥3.3335
1,000:¥2.6781
参考库存:2232
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 100V 30W NPN
1:¥7.9891
10:¥6.8026
100:¥5.2319
500:¥4.6217
参考库存:2977
晶体管
MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 12V GS
1:¥3.616
10:¥2.6329
100:¥1.6611
1,000:¥1.243
3,000:¥1.05994
参考库存:7420
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