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晶体管
DMN62D1LFB-7B参考图片

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DMN62D1LFB-7B

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V X1-DFN1006-3 T&R 10K
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数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥1.9549
19.549
100
¥0.83733
83.733
1,000
¥0.64523
645.23
2,500
¥0.49155
1228.875
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X1-DFN1006-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
320 mA
Rds On-漏源导通电阻
2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
0.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
16.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.4 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26.4 ns
典型接通延迟时间
3.4 ns
单位重量
1 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIA921EDJ-T4-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
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1:¥4.9946
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6,000:查看
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DMG4822SSDQ-13
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1:¥6.4523
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100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
2,500:¥2.7685
参考库存:4124
DMC1028UFDB-13
Diodes Incorporated
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MOSFET N-Ch 12VDss 8Vgss P-Ch 8Vdss 8Vgss
10,000:¥2.4634
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Toshiba
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10:¥6.0681
100:¥4.6669
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1,000:¥3.2544
参考库存:15829
DMT3006LFV-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥4.9946
10:¥4.1471
100:¥2.6781
1,000:¥2.147
参考库存:4632
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