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晶体管
DMP3028LPSQ-13参考图片

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DMP3028LPSQ-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
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数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.5144
55.144
100
¥3.5482
354.82
1,000
¥2.8476
2847.6
2,500
¥2.8476
7119
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
18 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
17.74 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32.8 ns
典型接通延迟时间
4.8 ns
商品其它信息
优势价格,DMP3028LPSQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin
1:¥2.6894
10:¥1.8758
100:¥0.78422
1,000:¥0.53788
10,000:¥0.3616
20,000:查看
参考库存:11207
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥2.4634
10:¥1.695
100:¥0.69156
1,000:¥0.53788
8,000:¥0.3842
24,000:查看
参考库存:21822
晶体管
MOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II
1:¥53.7089
10:¥48.5674
25:¥46.2622
100:¥40.1828
1,000:¥30.51
参考库存:3172
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥8.2942
10:¥7.1077
100:¥5.4579
500:¥4.8251
1,000:¥3.8081
参考库存:2714
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S262W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
1:¥625.6358
5:¥614.1098
10:¥586.5152
25:¥566.921
参考库存:21829
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