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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-416-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	30
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	100 mW
系列	RN1101
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	10 V
商标	Toshiba
最大直流电集电极电流	100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	6 mg

商品其它信息

优势价格，RN1101(T5L,F,T)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
STP265N6F6AG	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in TO-220 package	1:¥23.6622 10:¥20.1366 100:¥17.4472 250:¥16.5997	参考库存:3144
IPW60R075CP	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP	1:¥83.3714 10:¥75.3032 25:¥71.8454 100:¥62.3986	参考库存:2479
BC 847S H6327	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR	1:¥2.7685 10:¥1.921 100:¥0.79891 1,000:¥0.54579 3,000:¥0.43053	参考库存:47203
BCR135E6327HTSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR	1:¥1.4577 10:¥1.356 100:¥0.48364 1,000:¥0.32318 3,000:¥0.24634	参考库存:118292
STP22NM60N	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh	1:¥43.7197 10:¥37.1883 100:¥32.1937 250:¥30.5778	参考库存:2275