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晶体管
DMN3018SFG-13参考图片

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DMN3018SFG-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 25Vgss 1.0W 697pF
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数量单价合计
3,000
¥0.99101
2973.03
9,000
¥0.92208
8298.72
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
8.5 A
Rds On-漏源导通电阻
21 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
13.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerDI
封装
Reel
系列
DMN3018
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
4.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20.1 ns
典型接通延迟时间
4.3 ns
单位重量
72 mg
商品其它信息
优势价格,DMN3018SFG-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
1:¥3.616
10:¥2.8137
100:¥2.0905
500:¥1.7176
3,000:¥1.2091
6,000:查看
参考库存:4452
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V 6A NPN LO VCEsat TRANSISTOR
1:¥3.5369
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
3,000:¥1.1752
参考库存:7979
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3
1:¥2.9945
10:¥2.0453
100:¥0.85315
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.45313
参考库存:37972
晶体管
MOSFET 40V, 110A, 1.8m Ohm NChannel PowerTrench
1:¥20.3626
10:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.1362
800:¥10.0683
参考库存:5092
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Ampl/Switch
1:¥21.357
10:¥19.0518
100:¥17.3681
250:¥15.6731
参考库存:4623
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