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晶体管

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DMN3008SCP10-7

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数量单价合计
1
¥7.3789
7.3789
10
¥6.328
63.28
100
¥4.859
485.9
500
¥4.294
2147
1,000
¥3.39
3390
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X4-DSN3415-10
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
14.6 A
Rds On-漏源导通电阻
6.1 mOhms, 6.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
31.3 nC, 31.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.7 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
858 ns, 858 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
314 ns, 314 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
928 ns, 928 ns
典型接通延迟时间
186 ns, 186 ns
商品其它信息
优势价格,DMN3008SCP10-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:6569
晶体管
达林顿晶体管 4A 45V 40W PNP
1:¥5.0737
10:¥4.1584
100:¥2.6781
1,000:¥2.147
参考库存:3555
晶体管
MOSFET MOSFET, 100V, 64A, 1 50 nC Qg, TO-262
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
1,000:¥6.9721
参考库存:3074
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
1:¥11.9102
10:¥10.2152
100:¥7.8422
500:¥6.9382
1,000:¥5.4805
5,000:¥5.4805
参考库存:29586
晶体管
达林顿晶体管 SS SOT223 DL XSTR NPN 80V
1:¥6.5314
10:¥5.3788
100:¥3.4691
1,000:¥2.7798
2,000:¥2.3391
参考库存:4488
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