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晶体管
ZXMS6005DN8Q-13参考图片

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ZXMS6005DN8Q-13

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库存:3,546(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.2152
10.2152
10
¥8.6784
86.784
100
¥6.7235
672.35
500
¥5.9438
2971.9
1,000
¥4.6895
4689.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
1.2 A
Rds On-漏源导通电阻
350 mOhms, 350 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
Pd-功率耗散
1.56 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
15 us
产品类型
MOSFET
上升时间
10 us
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 us
典型接通延迟时间
5 us
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格,ZXMS6005DN8Q-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET
1:¥36.3408
10:¥30.8942
100:¥26.7358
250:¥25.4363
参考库存:7403
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥8.5315
10:¥6.9721
100:¥5.3562
500:¥4.5991
1,000:¥3.6386
参考库存:4482
晶体管
射频开发工具 1800W - 27MHz
1:¥8,516.4032
参考库存:3815
晶体管
MOSFET PSMN1R0-25YLD/LFPAK/REEL 7" Q1
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5427
500:¥5.7743
1,500:¥4.0454
9,000:查看
参考库存:6722
晶体管
MOSFET N Channel 40V AEC-Q101 Qualified
1:¥7.6049
10:¥6.0455
100:¥4.5991
500:¥3.7968
1,000:¥3.0397
3,000:¥2.7459
参考库存:5866
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