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晶体管
FDB1D7N10CL7参考图片

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FDB1D7N10CL7

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET 100V 268A 1.7 mOhm
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数量单价合计
1
¥88.592
88.592
10
¥80.0718
800.718
25
¥76.2976
1907.44
100
¥66.3084
6630.84
800
¥50.2511
40200.88
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
268 A
Rds On-漏源导通电阻
1.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
163 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
237 S
下降时间
36 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
33 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
39 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX2N3419S
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥183.1843
250:¥168.1214
500:¥159.9854
参考库存:40132
JAN2N3421S
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥159.2848
250:¥146.1542
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参考库存:40135
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3,000:¥12.5204
5,400:¥12.0684
参考库存:40138
JAN2N3735/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥88.4451
250:¥80.6029
500:¥75.3823
1,000:¥69.156
参考库存:40141
2N3724L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥121.249
250:¥110.7287
500:¥99.666
参考库存:40144
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