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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	2.13
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-70
直流集电极/Base Gain hfe Min	30
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	100 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1317
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	30
高度	0.9 mm
长度	2 mm
宽度	1.25 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	28 mg

商品其它信息

优势价格，RN1317(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IPG20N04S408AATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET	1:¥12.1362 10:¥10.2943 100:¥8.2264 500:¥7.2546 5,000:¥5.3901 10,000:查看	参考库存:8815
FDC3601N	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Dual N-Ch 100V Spec Power Trench	1:¥4.5313 10:¥3.729 100:¥2.4069 1,000:¥1.921 3,000:¥1.6159	参考库存:33768
MD1803DFP	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 HI VLT NPN PWR TRANS STANDARD DEF	1:¥15.4471 10:¥13.1419 100:¥10.5316 500:¥9.2208 1,000:¥7.6162	参考库存:4788
IPD50R399CPATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 550V 9A DPAK-2	1:¥13.3679 10:¥11.3678 100:¥9.0626 500:¥7.9891 2,500:¥6.1585 5,000:查看	参考库存:6321
IPP65R310CFD	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 650V 11.4A TO220-3 CoolMOS CFD2	1:¥18.0574 10:¥15.368 100:¥12.2944 500:¥10.7576 1,000:¥8.9157	参考库存:4208