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晶体管
IPG20N06S4L11AATMA1参考图片

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IPG20N06S4L11AATMA1

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库存:5,356(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.0629
15.0629
10
¥12.7577
127.577
100
¥10.2152
1021.52
500
¥8.9157
4457.85
5,000
¥6.667
33335
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
15.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
53 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
65 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
58 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
IPG20N06S4L-11A SP001200162
商品其它信息
优势价格,IPG20N06S4L11AATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥131.8597
250:¥120.2546
500:¥112.4915
参考库存:38357
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥378.3579
250:¥357.2269
参考库存:38360
晶体管
MOSFET D-PAK MOSFET
2,500:¥1.8871
5,000:¥1.7176
10,000:¥1.5707
25,000:¥1.5368
参考库存:38363
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥189.6366
250:¥174.0426
500:¥165.6693
参考库存:38366
晶体管
MOSFET D-PAK MOSFET
2,500:¥2.5312
5,000:¥2.3165
10,000:¥2.1131
25,000:¥2.0792
参考库存:38369
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