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晶体管
IPD60R600C6ATMA1参考图片

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IPD60R600C6ATMA1

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库存:17,194(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.4468
9.4468
10
¥8.0682
80.682
100
¥6.2263
622.63
500
¥5.5031
2751.55
1,000
¥4.3505
4350.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
7.3 A
Rds On-漏源导通电阻
540 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
63 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPD60R600C6 SP001117726
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD60R600C6ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥16.2946
10:¥14.5205
100:¥11.6842
500:¥9.379
3,000:¥9.379
参考库存:10365
晶体管
MOSFET UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
1:¥14.8256
10:¥12.5995
100:¥10.0683
500:¥8.7575
参考库存:5371
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
1:¥20.6677
10:¥17.5941
100:¥14.0572
500:¥12.2944
2,500:¥9.4468
5,000:查看
参考库存:3828
晶体管
MOSFET 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified
1:¥9.4468
10:¥8.3733
100:¥6.8817
500:¥5.3788
3,000:¥3.8985
6,000:查看
参考库存:5895
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
1:¥2.3052
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.35369
参考库存:37311
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