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晶体管
MRF8P9040GNR1参考图片

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MRF8P9040GNR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 40W TO270WB4G
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数量单价合计
1
¥191.4898
191.4898
5
¥183.0374
915.187
10
¥176.6529
1766.529
25
¥154.1433
3853.5825
500
¥132.9332
66466.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
19.1 dB
输出功率
4 W
最小工作温度
- 30 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-272-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
0.7 GHz to 1 GHz
系列
MRF8P9040N
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
零件号别名
935321848528
单位重量
1.635 g
商品其它信息
优势价格,MRF8P9040GNR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 80V NPN
1:¥1.5368
10:¥1.3673
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:39493
晶体管
MOSFET N-Ch, 800V-13ohms 1A
1:¥8.5315
10:¥7.232
100:¥5.5596
500:¥4.9155
参考库存:4132
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W -100V -5A
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
2,500:¥1.9662
参考库存:2920
晶体管
达林顿晶体管 Seven NPN Array
1:¥4.3844
10:¥3.5821
100:¥2.1809
1,000:¥1.695
2,500:¥1.4464
参考库存:7990
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥5.537
10:¥4.7686
100:¥3.3109
1,000:¥2.4634
参考库存:5340
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