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晶体管
TK6Q60W,S1VQ参考图片

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TK6Q60W,S1VQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET DTMOSIV 600V 820mOhm 6.2A 60W 390pF 12nC
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库存：25,209(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.9894
13.9894
10
¥11.30
113
100
¥8.9948
899.48
500
¥7.91
3955
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
6.2 A
Rds On-漏源导通电阻
680 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
商标名
DTMOSIV
高度
6.1 mm
长度
6.65 mm
系列
TK6Q60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.3 mm
商标
Toshiba
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
40 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，TK6Q60W,S1VQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMP610DL-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥1.6159
10:¥1.11418
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
参考库存:13184
TK12A50E,S4X(S
Toshiba
晶体管
MOSFET POWER MOSFET N CH 250V
1:¥15.2098
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
参考库存:18396
AIHD06N60RFATMA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 DISCRETES
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.3733
500:¥7.3676
2,500:¥5.6839
5,000:查看
参考库存:18399
DMN2058U-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
10,000:¥0.53788
20,000:查看
参考库存:14202
DMHC4035LSDQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥8.0682
10:¥6.8817
100:¥5.2997
500:¥4.6782
1,000:¥3.6838
2,500:¥3.6838
参考库存:6704
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