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晶体管
NSBA114EDXV6T1G参考图片

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NSBA114EDXV6T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual PNP
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库存:12,455(价格仅供参考)
数量单价合计
4,000
¥0.46895
1875.8
8,000
¥0.46895
3751.6
24,000
¥0.43844
10522.56
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Dual
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
10 kOhms
典型电阻器比率
1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563-6
直流集电极/Base Gain hfe Min
35
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
- 0.1 A
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
357 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NSBA114EDXV6
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
35
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
宽度
1.2 mm
商标
ON Semiconductor
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
3 mg
商品其它信息
优势价格,NSBA114EDXV6T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGIT NPN 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:9954
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25A 80V 200W PNP
1:¥49.72
10:¥44.9514
50:¥42.8722
100:¥37.1883
参考库存:3707
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥7.91
10:¥6.78
100:¥5.2093
500:¥4.5991
1,000:¥3.6386
参考库存:3818
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP W/RES 50V
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:17813
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF N-CH LdmoST 45W 18.5dB 960MHz
1:¥639.3088
5:¥627.5568
10:¥599.2729
25:¥579.2945
参考库存:3365
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