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晶体管
ZXMC3F31DN8TA参考图片

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ZXMC3F31DN8TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 30V S08 Dual MOSFET 20V VBR 4.5V Gate
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数量单价合计
1
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5.1528
10
¥4.2827
42.827
100
¥2.7685
276.85
500
¥2.7685
1384.25
1,000
¥2.2148
2214.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
7.3 A, 5.3 A
Rds On-漏源导通电阻
24 mOhms, 80 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12.9 nC, 12.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
ZXMC3
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
16.5 S, 14 S
下降时间
8 ns, 21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.3 ns, 3 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns, 30 ns
典型接通延迟时间
2.9 ns, 1.9 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格,ZXMC3F31DN8TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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