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晶体管
ZXMC3F31DN8TA参考图片

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ZXMC3F31DN8TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 30V S08 Dual MOSFET 20V VBR 4.5V Gate
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数量单价合计
1
¥5.1528
5.1528
10
¥4.2827
42.827
100
¥2.7685
276.85
500
¥2.7685
1384.25
1,000
¥2.2148
2214.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
7.3 A, 5.3 A
Rds On-漏源导通电阻
24 mOhms, 80 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12.9 nC, 12.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
ZXMC3
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
16.5 S, 14 S
下降时间
8 ns, 21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.3 ns, 3 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns, 30 ns
典型接通延迟时间
2.9 ns, 1.9 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格，ZXMC3F31DN8TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RTL020P02TR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6
1:¥4.7686
10:¥3.9324
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
3,000:¥1.7176
参考库存:43365
R6025FNZ1C9
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥46.104
10:¥39.1884
100:¥33.9678
250:¥32.2728
450:¥28.8941
参考库存:43368
JAN2N5664
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥260.4876
250:¥239.0515
参考库存:43371
JANTXV2N6284
Microsemi
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥662.971
5:¥642.8457
10:¥622.7091
25:¥594.5834
参考库存:43374
2SD2098T100S
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V 5A
1:¥4.5313
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
2,000:¥1.5029
参考库存:43377
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