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晶体管
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CMPTA94 TR

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP HV Trans 400Vcbo 400Vceo 6.0ebo 350mW
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.6668
26.668
100
¥1.6724
167.24
1,000
¥1.2656
1265.6
3,000
¥1.07576
3227.28
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
400 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
500 mV
最大直流电集电极电流
300 mA
增益带宽产品fT
20 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
CMPTA94
直流电流增益 hFE 最大值
200 at 10 mA, 10 V
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Central Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
50 at 10 mA, 10 V
Pd-功率耗散
350 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
CMPTA94 PBFREE TR
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，CMPTA94 TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MHT2000GNR1
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 2450 MHz 25 W CW 28 V
500:¥312.8179
参考库存:30541
DMPH6050SFGQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
3,000:¥2.9154
参考库存:30544
AGR26180EF
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.535-2.655GHz27Watt Gain 12.5dB
10:¥968.184
30:¥857.5344
50:¥774.5472
100:¥746.8848
参考库存:30547
DMC2053UVT-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
10,000:¥0.77631
参考库存:30550
DMT10H072LFDF-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020-6 T&R 3K
1:¥4.9155
10:¥4.1019
100:¥2.6442
1,000:¥2.1244
3,000:¥2.1244
参考库存:30553
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