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晶体管
IPA50R800CE参考图片

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IPA50R800CE

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库存:5,448(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.2263
6.2263
10
¥5.1867
51.867
100
¥3.3448
334.48
1,000
¥2.6781
2678.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
7.6 A
Rds On-漏源导通电阻
720 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12.4 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
26.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
15.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.5 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
6.2 ns
零件号别名
IPA50R800CEXKSA2 SP001217234
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,IPA50R800CE的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans NPN x 2 SMV, 50V, 100A
1:¥4.2262
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:6481
晶体管
达林顿晶体管 30V 300mW
1:¥1.695
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:15653
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥3.7629
10:¥2.6103
100:¥1.1978
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.78422
参考库存:8990
晶体管
MOSFET PTNG 80/20V IN 51A 10 mOhm
1:¥16.2946
10:¥13.8312
100:¥11.0627
500:¥9.6841
3,000:¥7.458
6,000:查看
参考库存:10028
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6
1:¥25.7414
10:¥21.8994
100:¥18.984
250:¥17.9783
500:¥16.1364
参考库存:4376
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