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晶体管
DMN6075S-13参考图片

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DMN6075S-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF
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库存:23,573(价格仅供参考)
数量单价合计
10,000
¥0.44522
4452.2
20,000
¥0.41471
8294.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.15 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3 mm
产品
Enhancement Mode MOSFET
系列
DMN60
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Enhancement Mode MOSFET
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.1 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
3.5 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,DMN6075S-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 3A
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:19098
晶体管
达林顿晶体管 4A 40V Bipolar Power PNP
1:¥5.6048
10:¥4.633
100:¥2.9945
1,000:¥2.3843
参考库存:14466
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 750A 6500V
1:¥17,193.1082
5:¥16,918.247
参考库存:3919
晶体管
MOSFET 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:36541
晶体管
MOSFET UMOSVIII 100V 4.5m max(VGS=10V) D2PAK
1:¥21.4361
10:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.0684
1,000:¥10.0683
参考库存:5039
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