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晶体管

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相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN, PNP
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	0.1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	ES6-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
最大工作频率	250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	100 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN4906
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	50 V
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
工作温度范围	- 55 C to + 150 C
商标	Toshiba
通道数量	2 Channel
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	4000
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，RN4906FE(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
UMD2NTR	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 NPN/PNP 50V 30MA	1:¥2.9945 10:¥2.0905 100:¥0.9605 1,000:¥0.73789 3,000:¥0.63054	参考库存:7942
BC547BTF	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V 100mA HFE/450	1:¥2.0001 10:¥1.3447 100:¥0.56048 1,000:¥0.3842 2,000:¥0.29945	参考库存:24770
BC33716TA	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V 800mA HFE/250	1:¥2.2261 10:¥1.4916 100:¥0.62263 1,000:¥0.42262 2,000:¥0.32996	参考库存:13039
DXT5551-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 160V	1:¥3.7629 10:¥2.8702 100:¥1.5481 1,000:¥1.1639 2,500:¥1.00683 10,000:¥0.9379	参考库存:10200
FQA6N90C-F109	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series	1:¥20.5208 10:¥17.4472 100:¥15.142 250:¥14.3736	参考库存:3357