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晶体管
SI2333CDS-T1-E3参考图片

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SI2333CDS-T1-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 12V 5.1A 2.5W 35mohm @ 4.5V
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数量单价合计
1
¥5.763
5.763
10
¥4.6669
46.669
100
¥3.5369
353.69
500
¥2.9154
1457.7
3,000
¥2.9154
8746.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
7.1 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
18.5 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
SI2333CDS-E3
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，SI2333CDS-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDMS6673BZ
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET -30V 28A P-Channel PowerTrench
1:¥15.2098
10:¥12.9046
100:¥10.2943
500:¥9.0626
3,000:¥6.9495
6,000:查看
参考库存:5639
IRFD9120PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET
1:¥8.6106
10:¥7.6501
100:¥6.0455
500:¥4.6895
1,000:¥3.7064
参考库存:10031
IRFR120PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp
1:¥7.684
10:¥6.3732
100:¥5.7743
500:¥4.4748
1,000:¥3.5369
参考库存:7517
IRFPC60LCPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1:¥44.7932
参考库存:3506
CGH60008D-GP4
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
10:¥168.0536
参考库存:3215
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