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晶体管
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DMN63D8LDW-7

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库存:58,659(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.2261
2.2261
10
¥1.5481
15.481
100
¥0.64523
64.523
1,000
¥0.44522
445.22
3,000
¥0.34578
1037.34
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
260 mA
Rds On-漏源导通电阻
2.8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
0.87 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
400 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN63D8
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
80 mS
下降时间
6.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
3.3 ns
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格,DMN63D8LDW-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:25378
晶体管
达林顿晶体管 15A 150V Bipolar Power PNP
1:¥26.1256
10:¥22.2045
100:¥19.2891
250:¥18.2834
500:¥16.4415
参考库存:4493
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.815
25:¥25.8996
50:¥23.052
参考库存:4438
晶体管
达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington
1:¥2.8476
10:¥2.0114
100:¥0.92208
1,000:¥0.71416
3,000:¥0.60681
参考库存:13021
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:20206
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