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晶体管
DMC1028UFDB-7参考图片

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DMC1028UFDB-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 12VDss 8Vgss P-Ch 8Vdss 8Vgss
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数量单价合计
1
¥5.6839
5.6839
10
¥4.7686
47.686
100
¥3.0736
307.36
1,000
¥2.4634
2463.4
3,000
¥2.4634
7390.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN1612-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V, 20 V
Id-连续漏极电流
6 A, 3.4 A
Rds On-漏源导通电阻
17 mOhms, 55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV, 1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
18.5 nC, 11.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.36 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMC1028
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
3.7 ns, 12.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.4 ns, 3.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15.7 ns, 20.8 ns
典型接通延迟时间
4.6 ns, 3.5 ns
单位重量
6.500 mg
商品其它信息
优势价格,DMC1028UFDB-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SILICON TRANSISTOR PLAST
1:¥3.0736
10:¥2.0114
100:¥0.86784
1,000:¥0.66896
3,000:¥0.50737
参考库存:10100
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MOSFET NFET SO8FL 30V 160A 2.1MO
1:¥7.5258
10:¥6.4636
100:¥4.9607
500:¥4.3844
5,000:¥3.0623
10,000:查看
参考库存:11102
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 1A 100V
1:¥5.9212
10:¥4.8816
100:¥3.1527
700:¥2.5199
2,100:¥2.1244
参考库存:15304
晶体管
MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS
1:¥49.4827
10:¥40.9512
100:¥33.7305
250:¥32.657
参考库存:1587
晶体管
MOSFET MOSFET_(20V,40V)_47
1:¥32.4988
10:¥27.6624
100:¥23.9786
250:¥22.7469
800:¥17.2099
2,400:查看
参考库存:1909
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