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晶体管
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ZVP2106ASTZ

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库存:7,382(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.3788
53.788
100
¥4.1358
413.58
500
¥3.6612
1830.6
1,000
¥2.8815
2881.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
280 mA
Rds On-漏源导通电阻
5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
700 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZVP2106
晶体管类型
1 P-Channel
类型
FET
商标
Diodes Incorporated
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,ZVP2106ASTZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP/NPN
1:¥2.9945
10:¥2.2826
100:¥1.2317
1,000:¥0.92999
3,000:¥0.79891
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双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
3,000:¥0.52997
9,000:¥0.46895
24,000:¥0.43844
参考库存:43785
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥523.2804
5:¥501.3019
10:¥492.4653
25:¥461.7293
参考库存:43788
晶体管
MOSFET N-chan TrenchMOS FET
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥16.5206
250:¥15.6731
800:¥11.8311
2,400:查看
参考库存:8743
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 40V 120A 4.2mOhm SGL N-CH
5,000:¥4.6217
10,000:¥4.4522
参考库存:43793
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