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晶体管
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IKW40N60H3

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库存:4,930(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.1828
40.1828
10
¥34.1938
341.938
100
¥29.5834
2958.34
250
¥28.1257
7031.425
500
¥25.199
12599.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
306 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW40N60H3FKSA1 IKW4N6H3XK SP000769928
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,IKW40N60H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥12.8368
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.0173
3,000:¥7.0173
参考库存:15158
晶体管
MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.893
1,000:¥5.7178
参考库存:8754
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥5.763
10:¥4.6669
100:¥3.5369
500:¥2.9154
3,000:¥2.9154
参考库存:24265
晶体管
MOSFET 30V 179A 2.2 mOhm 36 nC Qg
1:¥10.1474
10:¥8.6784
100:¥6.6783
500:¥5.8986
2,000:¥4.1358
10,000:查看
参考库存:7930
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A
1:¥7.1416
10:¥6.1359
100:¥4.7121
500:¥4.1697
1,000:¥3.2883
4,000:¥3.2883
参考库存:18121
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