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晶体管
IGB15N65S5ATMA1参考图片

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IGB15N65S5ATMA1

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1
¥14.9838
14.9838
10
¥12.7577
127.577
100
¥10.2152
1021.52
500
¥8.9157
4457.85
1,000
¥7.3789
7378.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
35 A
Pd-功率耗散
105 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
35 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
IGB15N65S5 SP001502560
商品其它信息
优势价格，IGB15N65S5ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STGB7NC60HDT4
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1,000:¥3.6386
1,500:¥3.6386
参考库存:5772
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1:¥50.6353
10:¥45.4938
100:¥37.3465
250:¥35.0413
500:¥31.8095
参考库存:1619
IPW80R290C3A
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET AUTOMOTIVE
1:¥53.4038
10:¥48.3301
25:¥46.0249
100:¥39.9568
参考库存:1616
STGWT40HP65FB
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥19.21
10:¥16.2946
100:¥13.0628
500:¥11.3678
参考库存:1970
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