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晶体管
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DMC2053UVT-7

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库存:12,941(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.3617
23.617
100
¥1.2882
128.82
1,000
¥0.9605
960.5
3,000
¥0.82942
2488.26
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOT-26-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4.6 A, 3.2 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms, 74 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV, 1 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
3.6 nC, 5.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
3.6 ns, 18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns, 7.8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12.5 ns, 31 ns
典型接通延迟时间
2.6 ns, 3.2 ns
商品其它信息
优势价格,DMC2053UVT-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL 60V 1A LOWVCESA
1:¥4.5313
10:¥3.7516
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1,000:¥1.7628
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1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9721
3,000:¥4.8816
9,000:查看
参考库存:3736
晶体管
MOSFET Nch 600V 4A Si MOSFET
1:¥13.7521
10:¥11.6842
100:¥9.379
500:¥8.1473
1,000:¥6.8026
参考库存:2523
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
1:¥1,330.9479
5:¥1,298.9011
10:¥1,266.7074
25:¥1,248.9551
50:¥1,248.9551
参考库存:1648
晶体管
MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥10.7576
10:¥8.9157
100:¥6.7913
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
3,000:¥4.6104
参考库存:8787
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