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晶体管
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FDC5612

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数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.2658
52.658
100
¥3.4013
340.13
1,000
¥2.7233
2723.3
3,000
¥2.2939
6881.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SSOT-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
4.3 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDC5612
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.6 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
14 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
FDC5612_NL
单位重量
30 mg
商品其它信息
优势价格,FDC5612的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30V 20Vgss 350mW
1:¥1.695
10:¥1.1752
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
参考库存:29238
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 13 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package
1:¥18.6676
10:¥15.8313
100:¥12.6786
500:¥11.1418
1,000:¥9.2208
参考库存:4623
晶体管
MOSFET MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg
1:¥12.4526
10:¥10.6785
100:¥8.1473
500:¥7.2433
1,000:¥5.7291
3,000:¥5.7291
参考库存:45518
晶体管
达林顿晶体管 Darlington Transistr Array
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.91
500:¥6.9043
参考库存:13751
晶体管
MOSFET 60-V Dual N-Channel Power MOSFET
1:¥6.6105
10:¥5.6048
100:¥4.3166
500:¥3.8081
2,500:¥2.6781
10,000:查看
参考库存:32336
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