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晶体管
SQJB60EP-T1_GE3参考图片

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SQJB60EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存:13,096(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.4468
9.4468
10
¥8.3733
83.733
100
¥6.8817
688.17
500
¥5.3788
2689.4
3,000
¥3.8985
11695.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
30 nC, 30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
48 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
43 S, 43 S
下降时间
25 ns, 25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns, 3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns, 23 ns
典型接通延迟时间
10 ns, 10 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SQJB60EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 25V Complimentary Pair Enhancemnt Mode
1:¥3.4578
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.7458
参考库存:16570
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH
1:¥5.4579
10:¥4.5087
100:¥2.9154
1,000:¥2.3278
5,000:¥1.9662
参考库存:16573
晶体管
JFET JFET P-Channel 30V 50mA 360mW 3.27mW
582:¥11.6051
1,000:¥9.605
2,500:¥8.6106
10,000:¥8.2942
参考库存:16576
晶体管
JFET JFET N-Channel -40V 30Vgs 20Vds 7.5mA
725:¥9.2999
1,000:¥7.684
2,500:¥6.9043
10,000:¥6.6331
参考库存:16579
晶体管
MOSFET MOSFET 75V D2PAK
1:¥15.5262
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
800:¥7.6614
参考库存:3182
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