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晶体管
NTJD1155LT1G参考图片

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NTJD1155LT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.3504
23.504
100
¥1.2769
127.69
1,000
¥0.9605
960.5
3,000
¥0.82264
2467.92
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-88-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Id-连续漏极电流
1.3 A
Rds On-漏源导通电阻
175 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
400 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTJD1155L
晶体管类型
2 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
31 mg
商品其它信息
优势价格，NTJD1155LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UMX5NTR
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL NPN 11V 50MA SOT-363
1:¥3.2318
10:¥2.4182
100:¥1.3108
1,000:¥0.9831
3,000:¥0.85315
参考库存:4801
FS100R07N3E4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 100A 650V
暂无价格
参考库存:35080
BC 856S H6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥2.3843
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:303582
CSD17510Q5A
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 30V NChannel Lo Side NexFET Pwr MOSFET
1:¥8.6106
10:¥7.3789
100:¥5.6387
500:¥4.9833
2,500:¥3.4917
10,000:查看
参考库存:35085
2SA2039-H
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 5A 50V
1:¥5.6839
10:¥4.7799
100:¥3.0849
1,000:¥2.4634
参考库存:4502
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